精確控制離子束流
精確控制加速電壓
占地小
操作簡單
運行成本低
自維護
特別適合于研發應用
 
適用于4”~6”晶片，最小可用于1*1cm2樣品（室溫）
4”熱注入模式，{zg}溫度可達600度
2個帶有蒸發器的Freeman離子源，可使溫度達750度
1個Bernas離子源
非凡的鋁注入能力
一個主氣箱，配有4個活性氣體管路；一個副氣箱，配有4個中性氣體管路
高價樣品注入能力
注入角0~15度
IBS特有的矢量掃描系統
手動裝載/卸載用于標準注入和熱注入，自動25片cassette 裝載用于標準腔室
遠程操作控制接觸屏（5米鏈接線纜）
輻射低于0.6usv/hour


工藝性能
2~210keV
束流：4”晶片100keV時，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)
劑量范圍：1*1011*1018~at/cm2
片內非均勻性：1s
<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅，注B，100kev，1*1014at/cm2
片間均勻性：1s ≤ 1 %