方法的優缺點比較

　　各種方法都有其有缺點：從大的方面講，直接PECVD法對樣品表面有損傷，會增加表面少子的復合，但是也正是由于其對表面的轟擊作用，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質原子得到抑制，另外直接法可以使得氫原子或氫離子更深入地進入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充分。

　　使用不同頻率的PECVD系統，也各有一定的優缺點：

　　（1）頻率越高均勻面積越小，越難于達到大面積均勻性。

　　（2）頻率越低對硅片表面的損傷越嚴重。

　　（3）頻率越低離子進入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的鈍化。

煙道氣中氧含量過高應怎樣處理？

答：煙道氣中氧含量過高是由于爐體堵漏不好，造成外界空氣進入爐膛內部，風門開得過大以及煙道擋板開度偏大，爐膛負壓值高，使大量空氣進入爐內造成煙氣中氧含量過高，過剩空氣系數α增大而造成爐子的熱效率降低。應加強爐體的堵漏，及時調節好風門、汽門、油門和檔板（俗稱三門一板），控制合理的過剩空氣系數，要控制合理的過剩空氣系數還必須建立定期的煙氣采樣分析制度，對數據要認真分析。

化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，bao括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。